作者：
熊康明，英飛凌電源與傳感系統事業部 主任工程師
柯春山，英飛凌電源與傳感系統事業部 高級主任工程師
在日常的電源設計中，半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。
一、半導體器件擊穿原理
PN結I-V曲線如圖[1]所示：
· PN結正向導通，反向截止；
· 反向電壓超過一定限值VBR，器件發生電擊穿；
· 正向導通時，電流超過一定限值（圖示綠色區域之外），器件發生熱燒毀。
圖[1]：PN結I-V曲線
PN結的擊穿原理分為：電擊穿和熱擊穿（二次擊穿）。
1）電擊穿
電擊穿：指強電場導致器件的擊穿，過程通常是可逆的。當電壓消失，器件電學特性恢復。電擊穿又分為：
a）雪崩倍增效應
雪崩倍增效應：（通常指電壓>6V時發生，）原理如下：
圖[2]：PN結反偏示意圖
如圖[2]所示：在PN結兩端加反向電壓，隨著反向電壓增加，PN結耗盡區反向電場增加，耗盡區中電子（或者空穴）從電場中獲得的能量增加。當電子（或者空穴）與晶格發生碰撞時傳遞給晶格的能量高于禁帶寬度能量（Eg），迫使被碰撞的價帶電子躍遷到導帶，從而產生一堆新的電子空穴對，該過程叫做碰撞電離；課本里把一個自由電子（或者空穴）在單位距離內通過碰撞電離產生的新的電子空穴對的數目稱為電子（或者空穴）的碰撞電離率，表示為αin(or αip)。
當耗盡區電場增加到一定程度，碰撞電離激發出的新電子-空穴對，即“二次載流子”，又可能繼續產生新的載流子，這個過程將不斷進行下去，稱為雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效應導致流出PN結的電流趨于無窮大，則發生了所謂的雪崩擊穿，該過程簡單示意如圖[3]所示。
圖[3]：雪崩擊穿示意圖
發生雪崩擊穿的條件是：
其物理意義是碰撞電離率在整個耗盡區積分趨于1。由于αi隨電場的變化強相關（如圖[4]所示），因此可以近似的認為當耗盡區最大電場EMAX達到某臨界電場Ec時，即發生雪崩擊穿。Ec與結的形式和摻雜濃度有一定關聯，硅PN結典型值為Ec = 2×105 V/cm。
圖[4]：電場的強相關函數圖
為了更好地理解PN結電場強度Ec隨耗盡區XD的關系，我們在這里簡單討論下泊松方程：在一維情況下（PN結/BJT）泊松方程的表達形式為：
等式右邊第一項“q”為電荷量，介電常數“εs”為電通量密度與電場的映射關系，括號內表示自由離子的加和。從直觀來看，該式反映電場（或者電通量密度，兩者從某種角度上可以理解為反映著同一種東西）的源是電荷，如果是記公式：泊松方程表示的是，單位體積內對電通量密度（電位移）求散度，結果為體積內的電荷。除了從電磁學理論出發的分析，該式從數學上也可以看成是：電場與位置的函數關系。通過解泊松方程，便可以得到隨著位置變化時，電場、電勢的變化情況。
接下來我們通過舉例來看擊穿電壓VB與哪些因素相關：圖[5]所示為兩種摻雜濃度材料的Ec VS Xd曲線關系（其中，N1>N2）。
圖[5]不同摻雜濃度Ec VS Xd曲線關系
分析該圖可知：
1. 禁帶寬度Eg越大，則擊穿電壓VB越高；比如Si (Eg=1.12 eV) VS SiC (Eg=3.23 eV)
2. 摻雜濃度越低，VB越高；
3. 擊穿電壓主要取決于低摻雜一側，該側的雜質濃度越低，則VB越高。
除了上述方法可以提高擊穿電壓VB，還可以通過增加電場維度，改變電場強度分布（如圖[6]、圖[7]所示）：比如英飛凌的CoolMOSTM系列產品，通過在N-耗盡區摻入P柱結構（引入橫向電場分布），大幅提高VB。這里不再贅述其機理，感興趣的讀者可在英飛凌官網查閱相關文獻資料。
圖[6]SJ MOSFET剖面示意圖
圖[7]SJ MOSFET內部電場仿真示意圖
綜上所述，PN結的雪崩擊穿電壓VBR還與PN結結溫（Tj）呈現正相關性（如圖[8]）：
圖[8]：IPL65R065CFD7 VBR(DSS) VS Tj
其主要原因是：隨著溫度升高，晶格振動加劇，價帶電子躍遷到導帶需要的能量Eg更高，因此需要更強的電場。
b）隧道效應
隧道效應又稱為齊納擊穿、隧道穿通，（一般發生在擊穿電壓VB
圖[9] P+N+結電壓反偏示意圖
將兩塊重摻雜的P+、N+半導體材料結合在一起，由于耗盡區兩側P+ 、N+載流子濃度更高，因此形成耗盡區寬度，較普通PN結更薄，耗盡區帶電離子濃度更高，內建電場Eb更強。當在PN結兩端加反向偏壓如圖[9]所示，該電壓產生的電場與內建電場同向疊加，當耗盡區電場強度＞300kV/cm時，電子空穴對在電場力的作用下掙脫原子核束縛，自由的穿過耗盡區，形成電流。顧名思義：叫做隧穿效應，該過程微觀過程如圖[10]所示。當PN結兩端反向電壓進一步增加時，流過PN結電流增加，電壓基本保持不變。齊納二極管（穩壓二極管）即是利用該效應制作的一種穩壓元器件。
圖[10] 隧穿效應示意圖
由于隧穿效應的導電離子是來自于掙脫原子核束縛的電子（或者空穴），因此，隨著溫度的升高，PN結內部產生熱電子濃度增加，進而導致擊穿電壓VB降低，使得宏觀上擊穿電壓VB呈現負溫度特性。該過程微觀示意如圖[11]。
圖[11] 隧穿效應VS溫度示意圖
在這里簡單的對兩種電壓擊穿做對比總結以方便讀者記憶：
2）熱擊穿（二次擊穿）
熱擊穿（二次擊穿）指器件由于過電壓、過電流導致的損壞，結果不可逆。通常情況下是先發生了電擊穿，產生的高壓大電流沒有得到及時控制，進一步導致過熱使得器件發生燒毀。
二、設計應用注意事項
通過以上分析，我們可以得出結論：對于硅材料的半導體功率器件（碳化硅材料器件由于其原理、結構與硅材料相似，因此有著相似的物理規律，這里不再做分析，氮化鎵器件由于其器件結構與傳統硅差別較大，因此不具備類似的規律，后續文章可以涉及，敬請關注），在驅動電壓Vgs可控的情況下，主要失效模式兩種：
一種是：過電壓應力導致器件發生雪崩，雪崩過程本身是可逆的，但如果由于雪崩行為沒有被及時控制，導致器件出現過熱，進一步導致器件封裝燒毀、bonding材料或者結構毀壞、甚至芯片半導體結構損壞，該過程不可逆。
第二種是：過電流應力導致器件溫升超過其極限值，進一步導致器件封裝燒毀、bonding材料或者結構損壞、甚至芯片半導體結構破壞，該過程亦不可逆。
因此，我們在設計使用半導體功率器件電路時，必須嚴格的遵照相關的標準（例如IPC9592B-2012），規范化降額設計，以保證產品在整個生命周期內，半導體器件可以運行在規格書的范圍內，以顯著降低產品的失效率。更多的關于半導體器件雪崩設計應用指南請參考英飛凌應用筆記：AN_201611_PL11_002，本文不再贅述。
后記
隨著半導體產業競爭趨于白熱化，在半導體器件設計中，一個不爭的事實：對于相同的技術下，Rds(on)越小，芯片尺寸越大，器件熱阻越小，抗雪崩能力越強。但是對于半導體器件來講，并不是芯片尺寸越大越好，更大的尺寸意味著更大的寄生參數，更大的開關損耗，因此限制了電源朝著高頻高密的方向發展以進一步降低系統成本。因此，在設計器件過程中，需要綜合性的權衡各項參數，以設計出綜合能力更全面的產品。英飛凌公司作為全球功率器件的領頭羊，一直致力于設計更全面的產品以完成其“低碳化”的使命！ |
