有的是分立電源（即一個電路一個輸出電壓），有的則是集成電源，例如PMU，存在多個電源輸出，滿足不同的需求。分立與集成各有優點。
分立電源電路的優點：單體價格便宜，電路設計復雜，輸出容易調整，可輸出大負載能力，散熱好。缺點：占PCB的面積較大，電源系統總成本可能會高于集成電源電路（具體問題具體分析），EMI較差。
集成電源電路的優點：輸出電源種類多，電路設計簡單，器件數量少，所占PCB面積小，節省空間，EMI較好。缺點：因集成度高，輸出的功率較小，體積小不容易散熱，嚴重情況會出現燒壞，單體價格較貴。
因功率電感在電源設計中屬于非常重要的器件，所以這里一起介紹。
降壓電路設計
一般在設計之初工程師提出具體的設計參數，例如：DC-DC工作頻率、輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、輸出最大電流、輸出紋波、效率、封裝等。
大部分電子設備中存在的電壓為5V、3.3V，CPU小系統可能還存在1.8V、1.2V、或其他電源，在移動通訊中，常用的電源為3.8V。因原理一樣，這里只舉例5V和3.3V電源設計。
例一：9V轉5V電路設計
1） 下圖為Silergy的SY8120型號。具體自查規格書。
簡單介紹下規格參數：該芯片工作頻率為500KHz，輸入電壓范圍4.5V~18V，輸出電流為2A，高效率，SOT23-6小封裝。
下表紅色部分為主要關注參數。
Iq 靜態電流，當輸出空載時芯片自耗電，主要考慮領域為待機功耗。
Vref為反饋參考電壓，在芯片內部存在一個比較器，用于輸出調節，是芯片的主要參數之一，通過反饋電阻網絡調節輸出電壓。
IFB是決定了反饋電阻網絡的取值范圍，如果此電流設計過大，會造成待機功耗增大，如果設計過小，反饋失效，導致輸出不正常。
上下MOSFET的RDS（on），越小約好，會影響到輸出效率，靜態功耗。
ILIM是上下MOS的極限電流值，很多廠家，這個參數只有典型值或最小值，沒有最大值，其實是為了自己規避問題，在設計中，按照典型值或最小值進行設計，基本能滿足設計要求，但如果在輸出負載超過這個值后，電源IC就會燒毀，上MOS幾率最大。因此如果規格中設置了最大值，說明這個IC存在過流保護，在設計中是個很好的選擇。
VEN，是芯片開關功能，一般內部為一個施密特觸發器，高于一個電壓才能打開，小于一個電壓才能關閉。在設計中，可能會出現無法關機的現象，因為系統中存在較多的電容，在關機過程中，電源下電時間等因素，導致這個問題的存在。所以重點關注下電時間點電壓。
FSW，為芯片的主要開關頻率，是電源設計中的非常重要的參數，影響了后面的輸出電流設計，電感的選型和輸出電容的選擇。
2） 電源設計電路
設計電路中，設計基本參數為：VIN大概為9V，輸出電壓為5V，輸出電流1Amax，紋波小于50mV。
圖中分為6個部分，按照序號，分別為：輸入電容，自舉電容，電感，反饋電阻，輸出電容，緩啟動。
框1：一般輸入電容為規格書建議值，一般為uF級，用于續流，防止在負載突然增大時，影響前面的電源，使前面的電源出現波動，如果存在高頻濾波電容，需放置在IC附近。
框4：設計輸出電壓，要得到約5V的輸出電壓，因考慮電路中的線損，輸出略高于5V。根據下面的公式，計算得到輸出電壓5.289V。
Vout=0.6*(R43/R44)
框3：根據規格書中給出的公式計算。電路輸入電壓范圍為7~12V（典型值9V），輸出電壓約為5.289V，輸出電流最大約為1A，當輸入電壓為7V時，通過計算得到電感約為6.5uH，當輸入為12V時，計算得電感約為14.8uH，選擇常用的10uH電感。輸入電壓為9V時，根據公式，輸出的最大電流約為1.09A，基本能滿足要求。電感的額定電流要約為輸出電流的1.5倍，那么選用額定電流1.68A的電感，能夠滿足要求。
框2：有的電路外部自舉電路，而有的則在內部。一般為0.1uf，使上MOS持續導通。
框5：輸出電容根據規格書要求最小為22uF，選用低ESR的MLCC電容兩個10uF，如果規格書沒有提出，需要根據下面計算公式得出。
紋波電流的計算公式：
輸出的電容為20.1uF，因MLCC的ESR很小，可忽略，根據下面的公式得到紋波電壓約為10mV，滿足要求。
框6：阻容器件并聯，起到延時緩啟動的作用，同時在關電時，對地電阻起到迅速放電的作用。
放置R43上并聯C60，有助于增加負載瞬態響應速度和輸出穩定性，一般為10pf~22pf
在實際的工作中，一切可以調整的因素都是相對穩定的，并且帶有一定的實際工作誤差。因此在考慮開關頻率、L和C的取值時，要考慮干擾因素，選取受到很多因素影響的一個折中的結果。 |
